SK Hynix dementiert Intel-Foundry-Deal für HBM4E-Chips
Veröffentlicht am: 01.09.2026 um 00:42 Uhr | Redaktion boerse-global.de
SK Hynix hat Berichten widersprochen, wonach der südkoreanische Speicherchip-Hersteller die Produktion von Base Dies für die kommende HBM4E-Generation an Intel Foundry vergeben könnte. Das Unternehmen dementierte entsprechende Spekulationen ausdrücklich, nachdem mehrere Medien über eine mögliche Abkehr von TSMC berichtet hatten.
Berichte über mögliche TSMC-Alternative
Zuvor hatten zahlreiche Branchenmedien gemeldet, SK Hynix erwäge, Intel Foundry zusätzlich zu TSMC als Fertigungspartner für HBM4E-Base-Dies einzusetzen, um die Abhängigkeit von dem taiwanischen Auftragsfertiger zu verringern.
Als Hintergrund für diese Überlegungen wurde die Kostenstruktur genannt: Ein bei TSMC in 12-Nanometer-Technologie gefertigter Base Die koste demnach drei- bis viermal so viel wie der eigentliche DRAM-Core-Die. Angesichts dieser Kostendifferenz hätte eine Diversifizierung der Fertigungsbasis für SK Hynix wirtschaftlich naheliegend erscheinen können.
Berichten zufolge soll SK Hynix zudem Intels EMIB-Packaging-Technologie als fortschrittliches Verpackungsverfahren getestet beziehungsweise evaluiert haben. Die Technologie könnte laut einem Bericht die Packaging-Kosten um rund 50 Prozent senken. Ungeachtet dieser kolportierten Prüfungen stellte SK Hynix klar, dass keine konkreten Pläne bestünden, Intel Foundry für die Fertigung von HBM4E-Base-Dies zu beauftragen.
Investitionen in Indiana unabhängig von Foundry-Frage
Unabhängig von der dementierten Foundry-Kooperation baut SK Hynix ein Packaging-Werk im US-Bundesstaat Indiana. Für das Projekt sind Investitionen von mehr als vier Milliarden US-Dollar vorgesehen, die Produktion soll in der zweiten Hälfte des Jahres 2029 anlaufen. Dieses Vorhaben betrifft die Verpackung von Chips und ist von der Frage nach dem Fertigungspartner für Base Dies zu unterscheiden.
Für die aktuelle HBM4-Generation setzt SK Hynix nach verfügbaren Informationen weiterhin auf TSMC-Fertigung der Base Dies. Erste HBM4E-Muster erreichten laut Berichten Übertragungsraten von 16 Gbps bei einer um rund 20 Prozent verbesserten Energieeffizienz gegenüber dem Vorgänger.
Personelle Verbindung zwischen den Unternehmen
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Auffällig ist eine personelle Verbindung zwischen beiden Unternehmen: Intel hat den früheren SK-Hynix-Chef Lee Seok-hee als Senior Vice President eingestellt. Er soll das Packaging-Geschäft von Intel leiten.
Für Intels Advanced-Packaging-Sparte, konkret die EMIB-T-Technologie, wird demnach ein Anlaufen in der zweiten Jahreshälfte 2027 erwartet, mit stabilem Betrieb 2028 und einem Höhepunkt im Jahr 2029. Intel strebt dabei eine Bruttomarge von 40 Prozent und eine operative Marge von 30 Prozent an; eine Rückkehr zur eigenen DRAM-Fertigung ist nicht geplant.
Foundry-Geschäft von Intel bleibt klein
Die Foundry-Sparte von Intel ist bislang stark von internen Aufträgen abhängig: Externe Kunden trugen im zweiten Quartal 2026 lediglich fünf Prozent zum Umsatz bei, was 293 Millionen US-Dollar von insgesamt 5,8 Milliarden US-Dollar entspricht.
Im selben Quartal verzeichnete die Foundry-Sparte einen operativen Verlust von 2,1 Milliarden US-Dollar. Ein Großauftrag von SK Hynix hätte für Intel Foundry angesichts dieser Zahlen substanzielles Gewicht gehabt.
An den Finanzmärkten reagierten die Aktien beider Unternehmen zunächst uneinheitlich auf die Berichte: Intel-Aktien bewegten sich phasenweise zunächst leicht im Minus, dann im Plus, während SK-Hynix-Papiere ebenfalls Schwankungen zeigten. Die Intel-Aktie hatte seit Jahresbeginn insgesamt deutlich zugelegt.
Weitere Entwicklungen im HBM-Umfeld
TSMC-Base-Dies kosten drei- bis viermal so viel wie der DRAM-Core – ein Kostenfaktor, der die HBM-Marge belastet. Wer die Auswirkungen auf die Halbleiter-Wertschöpfungskette verstehen will, findet in unserem Report einen klaren Kostenvergleich. Kostenvergleich jetzt sichern
Parallel zu den Spekulationen um Intel arbeitet Nvidia an einer eigenen Architektur namens NVHBM, bei der der Memory-Controller auf den Base Die verlagert wird. Diese Lösung soll die Bandbreite um rund 30 Prozent steigern, während die Leistung um etwa 15 Prozent sinkt und bis zu 25 Prozent der Die-Fläche eingespart werden können.
Zudem soll SK Hynix Berichten zufolge Ingenieure von Samsung für den Bereich Logikdesign rekrutiert haben, während Samsung selbst einen 4-Nanometer-Prozess für eigene HBM4-Base-Dies entwickelt. TSMC wiederum plant für 2027 den Einsatz seines N3-Prozesses, wobei laut Berichten technische Probleme bestehen sollen.
